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型 号 SI9926BDY-T1-GE3
生产商 Vishay Siliconix
标准 ROHSPBFREE
类别标签 Semiconductor   FETs - Arrays  
描 述 gwyy gwyy gwyy gwyy gwyy gwyy
SI9926BDY-T1-GE3 ,Vishay Siliconix厂商,MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC, SI9926BDY-T1-GE3datasheet 下载 SI9926BDY-T1-GE3 ,Vishay Siliconix厂商,MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC, SI9926BDY-T1-GE3datasheet 预览

SI9926BDY-T1-GE3 的详细信息

类 别: Semiconductor >> FETs - Arrays
Standard Package: 2,500
Category: Discrete Semiconductor Products
Family: FETs - Arrays
Series: TrenchFET®
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
FET Feature: Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µ
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: -
Power - Max: 1.14W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SOIC N
Packaging: Tape & Reel (TR)

参考报价(批量:单价)

最小购买数量: 02,500

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